Vishay P-Channel MOSFET, 11 A, 200 V, 3-Pin D2PAK IRF9640SPBF

Nr. stoc RS: 650-4211PProducator: VishayCod de producator: IRF9640SPBF
brand-logo

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Marca

Vishay

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

11 A

Maximum Drain Source Voltage

200 V

Tip pachet

D2PAK (TO-263)

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

500 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

3 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Typical Gate Charge @ Vgs

44 nC @ 10 V

Latime

9.65mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Lungime

10.41mm

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Inaltime

4.83mm

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Detalii produs

P-Channel MOSFET, 100V to 400V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
S-ar putea să te intereseze
P-channel MOSFET,IRF9640S 11A 200V
P.O.A.Each (Supplied in a Tube) (fara TVA)

P.O.A.

Each (Supplied in a Tube) (fara TVA)

Vishay P-Channel MOSFET, 11 A, 200 V, 3-Pin D2PAK IRF9640SPBF
Selectati tipul de ambalaj

P.O.A.

Each (Supplied in a Tube) (fara TVA)

Vishay P-Channel MOSFET, 11 A, 200 V, 3-Pin D2PAK IRF9640SPBF

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Selectati tipul de ambalaj

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
S-ar putea să te intereseze
P-channel MOSFET,IRF9640S 11A 200V
P.O.A.Each (Supplied in a Tube) (fara TVA)

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Marca

Vishay

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

11 A

Maximum Drain Source Voltage

200 V

Tip pachet

D2PAK (TO-263)

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

500 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

3 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Typical Gate Charge @ Vgs

44 nC @ 10 V

Latime

9.65mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Lungime

10.41mm

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Inaltime

4.83mm

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Detalii produs

P-Channel MOSFET, 100V to 400V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
S-ar putea să te intereseze
P-channel MOSFET,IRF9640S 11A 200V
P.O.A.Each (Supplied in a Tube) (fara TVA)