Vishay Siliconix TrenchFET P-Channel MOSFET, 100 A, 40 V, 3-Pin DPAK SQD40061EL_GE3
Documente tehnice
Specificatii
Marca
Vishay SiliconixChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
100 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Serie
TrenchFET
Tip pachet
DPAK (TO-252)
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
10 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.5V
Maximum Power Dissipation
107 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Number of Elements per Chip
1
Latime
2.38mm
Lungime
6.73mm
Typical Gate Charge @ Vgs
185 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Inaltime
6.22mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.5V
Tara de origine
Taiwan, Province Of China
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 13,20
€ 1,32 Buc. (Intr-un pachet de 10) (fara TVA)
€ 15,71
€ 1,571 Buc. (Intr-un pachet de 10) (cu TVA)
Standard
10
€ 13,20
€ 1,32 Buc. (Intr-un pachet de 10) (fara TVA)
€ 15,71
€ 1,571 Buc. (Intr-un pachet de 10) (cu TVA)
Standard
10
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Incercati din nou mai tarziu
| Cantitate | Pret unitar | Per Pachet |
|---|---|---|
| 10 - 90 | € 1,32 | € 13,20 |
| 100 - 490 | € 1,11 | € 11,10 |
| 500 - 990 | € 0,97 | € 9,70 |
| 1000+ | € 0,84 | € 8,40 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
Vishay SiliconixChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
100 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Serie
TrenchFET
Tip pachet
DPAK (TO-252)
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
10 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.5V
Maximum Power Dissipation
107 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Number of Elements per Chip
1
Latime
2.38mm
Lungime
6.73mm
Typical Gate Charge @ Vgs
185 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Inaltime
6.22mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.5V
Tara de origine
Taiwan, Province Of China
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse