Vishay Siliconix TrenchFET N-Channel MOSFET, 60 A, 60 V, 8-Pin PowerPAK SO-8 SiR188DP-T1-RE3
Documente tehnice
Specificatii
Marca
Vishay SiliconixChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
60 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Tip pachet
PowerPAK SO-8
Serie
TrenchFET
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
8
Maximum Drain Source Resistance
4 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Minimum Gate Threshold Voltage
3.6V
Maximum Power Dissipation
65.7 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Number of Elements per Chip
1
Transistor Material
Si
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Latime
5mm
Lungime
5.99mm
Typical Gate Charge @ Vgs
29 nC @ 10 V
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.1V
Inaltime
1.07mm
Tara de origine
China
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 1.740,00
€ 0,58 Buc. (Pe o rola de 3000) (fara TVA)
€ 2.070,60
€ 0,69 Buc. (Pe o rola de 3000) (cu TVA)
3000
€ 1.740,00
€ 0,58 Buc. (Pe o rola de 3000) (fara TVA)
€ 2.070,60
€ 0,69 Buc. (Pe o rola de 3000) (cu TVA)
3000
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Incercati din nou mai tarziu
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
Vishay SiliconixChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
60 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Tip pachet
PowerPAK SO-8
Serie
TrenchFET
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
8
Maximum Drain Source Resistance
4 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Minimum Gate Threshold Voltage
3.6V
Maximum Power Dissipation
65.7 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Number of Elements per Chip
1
Transistor Material
Si
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Latime
5mm
Lungime
5.99mm
Typical Gate Charge @ Vgs
29 nC @ 10 V
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.1V
Inaltime
1.07mm
Tara de origine
China
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse