Vishay Siliconix TrenchFET N-Channel MOSFET, 14.4 A, 250 V, 8-Pin PowerPAK SO-8 Si7190ADP-T1-RE3
Documente tehnice
Specificatii
Marca
Vishay SiliconixChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
14.4 A
Maximum Drain Source Voltage
250 V
Serie
TrenchFET
Tip pachet
PowerPAK SO-8
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
8
Maximum Drain Source Resistance
110 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
56.8 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Number of Elements per Chip
1
Latime
5mm
Lungime
5.99mm
Typical Gate Charge @ Vgs
14.9 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Inaltime
1.07mm
Tara de origine
China
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 10,55
€ 2,11 Buc. (Intr-un pachet de 5) (fara TVA)
€ 12,55
€ 2,511 Buc. (Intr-un pachet de 5) (cu TVA)
Standard
5
€ 10,55
€ 2,11 Buc. (Intr-un pachet de 5) (fara TVA)
€ 12,55
€ 2,511 Buc. (Intr-un pachet de 5) (cu TVA)
Standard
5
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Incercati din nou mai tarziu
| Cantitate | Pret unitar | Per Pachet |
|---|---|---|
| 5 - 45 | € 2,11 | € 10,55 |
| 50 - 95 | € 1,74 | € 8,70 |
| 100 - 495 | € 1,34 | € 6,70 |
| 500 - 995 | € 1,16 | € 5,80 |
| 1000+ | € 1,00 | € 5,00 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
Vishay SiliconixChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
14.4 A
Maximum Drain Source Voltage
250 V
Serie
TrenchFET
Tip pachet
PowerPAK SO-8
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
8
Maximum Drain Source Resistance
110 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
56.8 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Number of Elements per Chip
1
Latime
5mm
Lungime
5.99mm
Typical Gate Charge @ Vgs
14.9 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Inaltime
1.07mm
Tara de origine
China
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse