Toshiba Silicon N-Channel MOSFET, 168 A, 75 V, 8-Pin SOP TPH2R608NH,L1Q(M

Nr. stoc RS: 236-3627Producator: ToshibaCod de producator: TPH2R608NH,L1Q(M
brand-logo

Documente tehnice

Specificatii

Marca

Toshiba

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

168 A

Maximum Drain Source Voltage

75 V

Tip pachet

SOP

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

8

Maximum Drain Source Resistance

2.6e+006 Ω

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

Silicon

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
Informatii despre stoc temporar indisponibile

€ 4.000,00

€ 0,80 Buc. (Pe o rola de 5000) (fara TVA)

€ 4.760,00

€ 0,952 Buc. (Pe o rola de 5000) (cu TVA)

Toshiba Silicon N-Channel MOSFET, 168 A, 75 V, 8-Pin SOP TPH2R608NH,L1Q(M

€ 4.000,00

€ 0,80 Buc. (Pe o rola de 5000) (fara TVA)

€ 4.760,00

€ 0,952 Buc. (Pe o rola de 5000) (cu TVA)

Toshiba Silicon N-Channel MOSFET, 168 A, 75 V, 8-Pin SOP TPH2R608NH,L1Q(M
Informatii despre stoc temporar indisponibile

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Incercati din nou mai tarziu

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice

Specificatii

Marca

Toshiba

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

168 A

Maximum Drain Source Voltage

75 V

Tip pachet

SOP

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

8

Maximum Drain Source Resistance

2.6e+006 Ω

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

Silicon

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe