Toshiba TK N-Channel MOSFET, 60 A, 60 V, 3-Pin TO-220SIS TK40A06N1,S4X(S
Documente tehnice
Specificatii
Marca
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
60 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Serie
TK
Tip pachet
TO-220SIS
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
10.4 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Maximum Power Dissipation
30 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Latime
4.5mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
10mm
Typical Gate Charge @ Vgs
23 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Inaltime
15mm
Tara de origine
China
Detalii produs
MOSFET Transistors, Toshiba
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 5,60
€ 0,56 Buc. (Intr-un pachet de 10) (fara TVA)
€ 6,66
€ 0,666 Buc. (Intr-un pachet de 10) (cu TVA)
10
€ 5,60
€ 0,56 Buc. (Intr-un pachet de 10) (fara TVA)
€ 6,66
€ 0,666 Buc. (Intr-un pachet de 10) (cu TVA)
10
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Incercati din nou mai tarziu
| Cantitate | Pret unitar | Per Pachet |
|---|---|---|
| 10 - 40 | € 0,56 | € 5,60 |
| 50 - 90 | € 0,36 | € 3,60 |
| 100 - 240 | € 0,35 | € 3,50 |
| 250 - 490 | € 0,34 | € 3,40 |
| 500+ | € 0,33 | € 3,30 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
60 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Serie
TK
Tip pachet
TO-220SIS
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
10.4 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Maximum Power Dissipation
30 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Latime
4.5mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
10mm
Typical Gate Charge @ Vgs
23 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Inaltime
15mm
Tara de origine
China
Detalii produs
MOSFET Transistors, Toshiba
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse