STMicroelectronics STripFET F7 N-Channel MOSFET, 100 A, 60 V, 3-Pin TO-220 STP100N6F7

Nr. stoc RS: 906-4680Producator: STMicroelectronicsCod de producator: STP100N6F7
brand-logo

Documente tehnice

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

100 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Tip pachet

TO-220

Serie

STripFET F7

Timp montare

Through Hole

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

5.6 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation

125 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Typical Gate Charge @ Vgs

12.6 nC @ 10 V

Temperatura maxima de lucru

+175 °C

Lungime

10.4mm

Latime

4.6mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Inaltime

9.15mm

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.2V

Detalii produs

N-Channel STripFET™ F7 Series, STMicroelectronics

The STMicroelectronics STripFET™ F7 series of low-voltage MOSFETs have lower device on-state resistance, with reduced internal capacitance and gate charge for faster and more efficient switching.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
Informatii despre stoc temporar indisponibile

€ 9,20

€ 0,92 Buc. (Intr-un pachet de 10) (fara TVA)

€ 10,95

€ 1,095 Buc. (Intr-un pachet de 10) (cu TVA)

STMicroelectronics STripFET F7 N-Channel MOSFET, 100 A, 60 V, 3-Pin TO-220 STP100N6F7
Selectati tipul de ambalaj

€ 9,20

€ 0,92 Buc. (Intr-un pachet de 10) (fara TVA)

€ 10,95

€ 1,095 Buc. (Intr-un pachet de 10) (cu TVA)

STMicroelectronics STripFET F7 N-Channel MOSFET, 100 A, 60 V, 3-Pin TO-220 STP100N6F7
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Selectati tipul de ambalaj

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Incercati din nou mai tarziu

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

100 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Tip pachet

TO-220

Serie

STripFET F7

Timp montare

Through Hole

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

5.6 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation

125 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Typical Gate Charge @ Vgs

12.6 nC @ 10 V

Temperatura maxima de lucru

+175 °C

Lungime

10.4mm

Latime

4.6mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Inaltime

9.15mm

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.2V

Detalii produs

N-Channel STripFET™ F7 Series, STMicroelectronics

The STMicroelectronics STripFET™ F7 series of low-voltage MOSFETs have lower device on-state resistance, with reduced internal capacitance and gate charge for faster and more efficient switching.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe