STMicroelectronics N-Channel MOSFET, 40 A, 30 V, 8-Pin PowerFLAT 5 x 6 STL40DN3LLH5
Documente tehnice
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
40 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Tip pachet
PowerFLAT 5 x 6
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
8
Maximum Drain Source Resistance
25 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
50 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±22 V
Number of Elements per Chip
1
Latime
5.1mm
Lungime
6.2mm
Typical Gate Charge @ Vgs
4.5 nC @ 4.5 V
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.1V
Inaltime
0.95mm
Automotive Standard
AEC-Q101
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 1.980,00
€ 0,66 Buc. (Pe o rola de 3000) (fara TVA)
€ 2.356,20
€ 0,785 Buc. (Pe o rola de 3000) (cu TVA)
3000
€ 1.980,00
€ 0,66 Buc. (Pe o rola de 3000) (fara TVA)
€ 2.356,20
€ 0,785 Buc. (Pe o rola de 3000) (cu TVA)
3000
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Incercati din nou mai tarziu
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
40 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Tip pachet
PowerFLAT 5 x 6
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
8
Maximum Drain Source Resistance
25 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
50 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±22 V
Number of Elements per Chip
1
Latime
5.1mm
Lungime
6.2mm
Typical Gate Charge @ Vgs
4.5 nC @ 4.5 V
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.1V
Inaltime
0.95mm
Automotive Standard
AEC-Q101
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse