STMicroelectronics MDmesh N-Channel MOSFET, 12 A, 500 V, 3-Pin TO-220FP STF14NM50N
Documente tehnice
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
12 A
Maximum Drain Source Voltage
500 V
Serie
MDmesh
Tip pachet
TO-220FP
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
320 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
25 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-25 V, +25 V
Typical Gate Charge @ Vgs
27 nC @ 10 V
Latime
4.6mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
10.4mm
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Inaltime
16.4mm
Detalii produs
N-Channel MDmesh™, 500V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 2,60
€ 2,60 Buc. (fara TVA)
€ 3,09
€ 3,09 Buc. (cu TVA)
Standard
1
€ 2,60
€ 2,60 Buc. (fara TVA)
€ 3,09
€ 3,09 Buc. (cu TVA)
Standard
1
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
| Cantitate | Pret unitar |
|---|---|
| 1 - 4 | € 2,60 |
| 5 - 9 | € 2,45 |
| 10 - 24 | € 2,18 |
| 25 - 49 | € 1,95 |
| 50+ | € 1,83 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
12 A
Maximum Drain Source Voltage
500 V
Serie
MDmesh
Tip pachet
TO-220FP
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
320 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
25 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-25 V, +25 V
Typical Gate Charge @ Vgs
27 nC @ 10 V
Latime
4.6mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
10.4mm
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Inaltime
16.4mm
Detalii produs
N-Channel MDmesh™, 500V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse