STMicroelectronics STripFET II N-Channel MOSFET, 25 A, 100 V, 3-Pin DPAK STD25NF10LT4
Documente tehnice
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
25 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Serie
STripFET II
Tip pachet
DPAK (TO-252)
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
35 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
100 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-16 V, +16 V
Typical Gate Charge @ Vgs
38 nC @ 5 V
Latime
6.2mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
6.6mm
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Inaltime
2.4mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Detalii produs
N-Channel STripFET™ II, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 12,45
€ 2,49 Buc. (Intr-un pachet de 5) (fara TVA)
€ 14,82
€ 2,963 Buc. (Intr-un pachet de 5) (cu TVA)
Standard
5
€ 12,45
€ 2,49 Buc. (Intr-un pachet de 5) (fara TVA)
€ 14,82
€ 2,963 Buc. (Intr-un pachet de 5) (cu TVA)
Standard
5
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Incercati din nou mai tarziu
| Cantitate | Pret unitar | Per Pachet |
|---|---|---|
| 5 - 5 | € 2,49 | € 12,45 |
| 10 - 20 | € 2,09 | € 10,45 |
| 25 - 95 | € 2,00 | € 10,00 |
| 100 - 495 | € 1,58 | € 7,90 |
| 500+ | € 1,43 | € 7,15 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
25 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Serie
STripFET II
Tip pachet
DPAK (TO-252)
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
35 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
100 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-16 V, +16 V
Typical Gate Charge @ Vgs
38 nC @ 5 V
Latime
6.2mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
6.6mm
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Inaltime
2.4mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Detalii produs
N-Channel STripFET™ II, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse