STMicroelectronics ST N-Channel MOSFET Module, 25 A, 600 V, 3-Pin D2PAK STB33N60DM6

Nr. stoc RS: 202-5495Producator: STMicroelectronicsCod de producator: STB33N60DM6
brand-logo

Documente tehnice

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

25 A

Maximum Drain Source Voltage

600 V

Tip pachet

D2PAK (TO-263)

Serie

ST

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

0.115 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4.75V

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

SiC

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
Informatii despre stoc temporar indisponibile

€ 3.360,00

€ 3,36 Buc. (Pe o rola de 1000) (fara TVA)

€ 3.998,40

€ 3,998 Buc. (Pe o rola de 1000) (cu TVA)

STMicroelectronics ST N-Channel MOSFET Module, 25 A, 600 V, 3-Pin D2PAK STB33N60DM6

€ 3.360,00

€ 3,36 Buc. (Pe o rola de 1000) (fara TVA)

€ 3.998,40

€ 3,998 Buc. (Pe o rola de 1000) (cu TVA)

STMicroelectronics ST N-Channel MOSFET Module, 25 A, 600 V, 3-Pin D2PAK STB33N60DM6
Informatii despre stoc temporar indisponibile

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Incercati din nou mai tarziu

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

25 A

Maximum Drain Source Voltage

600 V

Tip pachet

D2PAK (TO-263)

Serie

ST

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

0.115 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4.75V

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

SiC

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe