STMicroelectronics SCT SiC N-Channel MOSFET, 40 A, 1200 V, 4-Pin HiP247-4 SCT040W120G3-4

Nr. stoc RS: 214-958Producator: STMicroelectronicsCod de producator: SCT040W120G3-4
brand-logo

Documente tehnice

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

40 A

Maximum Drain Source Voltage

1200 V

Serie

SCT

Tip pachet

HiP247-4

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

4

Channel Mode

Enhancement

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

SiC

Tara de origine

China

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
Informatii despre stoc temporar indisponibile

€ 23,59

€ 23,59 Buc. (fara TVA)

€ 28,07

€ 28,07 Buc. (cu TVA)

STMicroelectronics SCT SiC N-Channel MOSFET, 40 A, 1200 V, 4-Pin HiP247-4 SCT040W120G3-4
Selectati tipul de ambalaj

€ 23,59

€ 23,59 Buc. (fara TVA)

€ 28,07

€ 28,07 Buc. (cu TVA)

STMicroelectronics SCT SiC N-Channel MOSFET, 40 A, 1200 V, 4-Pin HiP247-4 SCT040W120G3-4
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Selectati tipul de ambalaj

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Incercati din nou mai tarziu

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

40 A

Maximum Drain Source Voltage

1200 V

Serie

SCT

Tip pachet

HiP247-4

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

4

Channel Mode

Enhancement

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

SiC

Tara de origine

China

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe