N-Channel MOSFET, 1.5 A, 18 V, 3-Pin SOT-89 STMicroelectronics PD84001

Nr. stoc RS: 917-2738PProducator: STMicroelectronicsCod de producator: PD84001
brand-logo

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

1.5 A

Maximum Drain Source Voltage

18 V

Tip pachet

SOT-89

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

3

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation

6 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-0.5 V, +15 V

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Lungime

4.6mm

Latime

2.6mm

Inaltime

1.6mm

Detalii produs

RF MOSFET Transistors, STMicroelectronics

The Radio Frequency Transistors are LDMOS suitable for L-band satellite uplinks and DMOS power transistors in applications ranging from 1 MHz to 2 GHz.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

P.O.A.

Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)

N-Channel MOSFET, 1.5 A, 18 V, 3-Pin SOT-89 STMicroelectronics PD84001
Selectati tipul de ambalaj

P.O.A.

Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)

N-Channel MOSFET, 1.5 A, 18 V, 3-Pin SOT-89 STMicroelectronics PD84001

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Selectati tipul de ambalaj

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

1.5 A

Maximum Drain Source Voltage

18 V

Tip pachet

SOT-89

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

3

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation

6 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-0.5 V, +15 V

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Lungime

4.6mm

Latime

2.6mm

Inaltime

1.6mm

Detalii produs

RF MOSFET Transistors, STMicroelectronics

The Radio Frequency Transistors are LDMOS suitable for L-band satellite uplinks and DMOS power transistors in applications ranging from 1 MHz to 2 GHz.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe