ROHM Dual SiC N-Channel SiC Power Module, 300 A, 1200 V, 4-Pin C BSM300D12P2E001

Nr. stoc RS: 144-2255Producator: ROHMCod de producator: BSM300D12P2E001
brand-logo
Vezi toate produsele din Tranzistoare MOSFET

Documente tehnice

Specificatii

Marca

ROHM

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

300 A

Maximum Drain Source Voltage

1200 V

Serie

BSM

Tip pachet

c

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

4

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Minimum Gate Threshold Voltage

1.6V

Maximum Power Dissipation

1875 W

Number of Elements per Chip

2

Latime

57.95mm

Lungime

152mm

Transistor Material

SiC

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Temperatura minima de lucru

-40 °C

Inaltime

17mm

Tara de origine

Japan

Detalii produs

SiC Power Modules, ROHM

The Module consists of a Silicon-Carbide (SiC) DMOS Power FET Devices with a Schottky Barrier Diode (SBD) across the Drain and Source.

MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
Informatii indisponibile despre stoc

€ 4.006,96

€ 1.001,74 Each (In a Tray of 4) (fara TVA)

€ 4.768,28

€ 1.192,071 Each (In a Tray of 4) (cu TVA)

ROHM Dual SiC N-Channel SiC Power Module, 300 A, 1200 V, 4-Pin C BSM300D12P2E001

4

Disponibil in multiplu de 4
4€ 4.006,96
8€ 8.013,92
12€ 12.020,88
16€ 16.027,84
20€ 20.034,80
24€ 24.041,76
28€ 28.048,72
32€ 32.055,68
36€ 36.062,64
40€ 40.069,60
44€ 44.076,56
48€ 48.083,52
52€ 52.090,48
56€ 56.097,44
60€ 60.104,40

€ 4.006,96

€ 1.001,74 Each (In a Tray of 4) (fara TVA)

€ 4.768,28

€ 1.192,071 Each (In a Tray of 4) (cu TVA)

ROHM Dual SiC N-Channel SiC Power Module, 300 A, 1200 V, 4-Pin C BSM300D12P2E001
Informatii indisponibile despre stoc

4

Disponibil in multiplu de 4
4€ 4.006,96
8€ 8.013,92
12€ 12.020,88
16€ 16.027,84
20€ 20.034,80
24€ 24.041,76
28€ 28.048,72
32€ 32.055,68
36€ 36.062,64
40€ 40.069,60
44€ 44.076,56
48€ 48.083,52
52€ 52.090,48
56€ 56.097,44
60€ 60.104,40

Informatii indisponibile despre stoc

Incercati din nou mai tarziu

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice

Specificatii

Marca

ROHM

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

300 A

Maximum Drain Source Voltage

1200 V

Serie

BSM

Tip pachet

c

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

4

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Minimum Gate Threshold Voltage

1.6V

Maximum Power Dissipation

1875 W

Number of Elements per Chip

2

Latime

57.95mm

Lungime

152mm

Transistor Material

SiC

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Temperatura minima de lucru

-40 °C

Inaltime

17mm

Tara de origine

Japan

Detalii produs

SiC Power Modules, ROHM

The Module consists of a Silicon-Carbide (SiC) DMOS Power FET Devices with a Schottky Barrier Diode (SBD) across the Drain and Source.

MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe