ROHM BSM Dual SiC N-Channel SiC Power Module, 120 A, 1200 V, 4-Pin C BSM120D12P2C005

Nr. stoc RS: 144-2257Producator: ROHMCod de producator: BSM120D12P2C005
brand-logo
Vezi toate produsele din Tranzistoare MOSFET

Documente tehnice

Specificatii

Marca

ROHM

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

120 A

Maximum Drain Source Voltage

1200 V

Serie

BSM

Tip pachet

c

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

4

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Minimum Gate Threshold Voltage

1.6V

Maximum Power Dissipation

935 W

Number of Elements per Chip

2

Latime

45.6mm

Transistor Material

SiC

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Lungime

122mm

Temperatura minima de lucru

-40 °C

Inaltime

17mm

Tara de origine

Japan

Detalii produs

SiC Power Modules, ROHM

The Module consists of a Silicon-Carbide (SiC) DMOS Power FET Devices with a Schottky Barrier Diode (SBD) across the Drain and Source.

MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
Informatii despre stoc temporar indisponibile

€ 437,41

€ 437,41 Buc. (fara TVA)

€ 520,52

€ 520,52 Buc. (cu TVA)

ROHM BSM Dual SiC N-Channel SiC Power Module, 120 A, 1200 V, 4-Pin C BSM120D12P2C005

1

Disponibil in multiplu de 1
1€ 437,41
2€ 874,82
3€ 1.312,23
4€ 1.749,64
5€ 2.187,05
6€ 2.624,46
7€ 3.061,87
8€ 3.499,28
9€ 3.936,69
10€ 4.374,10
11€ 4.811,51
12€ 5.248,92
13€ 5.686,33
14€ 6.123,74
15€ 6.561,15

€ 437,41

€ 437,41 Buc. (fara TVA)

€ 520,52

€ 520,52 Buc. (cu TVA)

ROHM BSM Dual SiC N-Channel SiC Power Module, 120 A, 1200 V, 4-Pin C BSM120D12P2C005
Informatii despre stoc temporar indisponibile

1

Disponibil in multiplu de 1
1€ 437,41
2€ 874,82
3€ 1.312,23
4€ 1.749,64
5€ 2.187,05
6€ 2.624,46
7€ 3.061,87
8€ 3.499,28
9€ 3.936,69
10€ 4.374,10
11€ 4.811,51
12€ 5.248,92
13€ 5.686,33
14€ 6.123,74
15€ 6.561,15

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Incercati din nou mai tarziu

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice

Specificatii

Marca

ROHM

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

120 A

Maximum Drain Source Voltage

1200 V

Serie

BSM

Tip pachet

c

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

4

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Minimum Gate Threshold Voltage

1.6V

Maximum Power Dissipation

935 W

Number of Elements per Chip

2

Latime

45.6mm

Transistor Material

SiC

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Lungime

122mm

Temperatura minima de lucru

-40 °C

Inaltime

17mm

Tara de origine

Japan

Detalii produs

SiC Power Modules, ROHM

The Module consists of a Silicon-Carbide (SiC) DMOS Power FET Devices with a Schottky Barrier Diode (SBD) across the Drain and Source.

MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe