onsemi Dual N-Channel MOSFET, 70 A, 40 V, 8-Pin DFN NVMFD5C462NT1G
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
70 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Tip pachet
DFN
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
8
Maximum Drain Source Resistance
5.4 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Power Dissipation
50 W
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Number of Elements per Chip
2
Latime
6.1mm
Lungime
5.1mm
Typical Gate Charge @ Vgs
16 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Inaltime
1.05mm
Tara de origine
Malaysia
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 10,00
€ 1,00 Buc. (Intr-un pachet de 10) (fara TVA)
€ 12,10
€ 1,21 Buc. (Intr-un pachet de 10) (cu TVA)
Standard
10
€ 10,00
€ 1,00 Buc. (Intr-un pachet de 10) (fara TVA)
€ 12,10
€ 1,21 Buc. (Intr-un pachet de 10) (cu TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Standard
10
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
70 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Tip pachet
DFN
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
8
Maximum Drain Source Resistance
5.4 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Power Dissipation
50 W
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Number of Elements per Chip
2
Latime
6.1mm
Lungime
5.1mm
Typical Gate Charge @ Vgs
16 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Inaltime
1.05mm
Tara de origine
Malaysia
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse