onsemi N-Channel MOSFET, 71 A, 40 V, 4-Pin LFPAK, SOT-669 NTMYS5D3N04CTWG
Documente tehnice
Specificatii
Marca
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
71 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Tip pachet
LFPAK, SOT-669
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
4
Maximum Drain Source Resistance
5.3 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Power Dissipation
50 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Number of Elements per Chip
1
Latime
4.25mm
Lungime
5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
16 @ 10 V nC
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Inaltime
1.15mm
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 33,25
€ 1,33 Buc. (Intr-un pachet de 25) (fara TVA)
€ 39,57
€ 1,583 Buc. (Intr-un pachet de 25) (cu TVA)
Standard
25
€ 33,25
€ 1,33 Buc. (Intr-un pachet de 25) (fara TVA)
€ 39,57
€ 1,583 Buc. (Intr-un pachet de 25) (cu TVA)
Standard
25
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Incercati din nou mai tarziu
| Cantitate | Pret unitar | Per Pachet |
|---|---|---|
| 25 - 75 | € 1,33 | € 33,25 |
| 100 - 225 | € 1,14 | € 28,50 |
| 250+ | € 0,98 | € 24,50 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
71 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Tip pachet
LFPAK, SOT-669
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
4
Maximum Drain Source Resistance
5.3 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Power Dissipation
50 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Number of Elements per Chip
1
Latime
4.25mm
Lungime
5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
16 @ 10 V nC
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Inaltime
1.15mm
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse