onsemi N-Channel MOSFET, 12 A, 60 V, 3-Pin DPAK NTD3055L104T4G
Documente tehnice
Specificatii
Marca
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
12 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Tip pachet
DPAK (TO-252)
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
104 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
48 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-15 V, +15 V
Latime
6.22mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
6.73mm
Typical Gate Charge @ Vgs
7.4 nC @ 5 V
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Inaltime
2.38mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Tara de origine
Czech Republic
Detalii produs
N-Channel Power MOSFET, 60V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 975,00
€ 0,39 Buc. (Pe o rola de 2500) (fara TVA)
€ 1.160,25
€ 0,464 Buc. (Pe o rola de 2500) (cu TVA)
2500
€ 975,00
€ 0,39 Buc. (Pe o rola de 2500) (fara TVA)
€ 1.160,25
€ 0,464 Buc. (Pe o rola de 2500) (cu TVA)
2500
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Incercati din nou mai tarziu
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
12 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Tip pachet
DPAK (TO-252)
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
104 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
48 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-15 V, +15 V
Latime
6.22mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
6.73mm
Typical Gate Charge @ Vgs
7.4 nC @ 5 V
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Inaltime
2.38mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Tara de origine
Czech Republic
Detalii produs
N-Channel Power MOSFET, 60V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse