Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 290 A, 100 V, 3-Pin TO-247AC IRFP4468PBF
Documente tehnice
Specificatii
Marca
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
290 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Serie
HEXFET
Tip pachet
TO-247AC
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
3 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
520 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Latime
5.31mm
Typical Gate Charge @ Vgs
360 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
15.87mm
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Inaltime
20.7mm
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Detalii produs
Motor Control and AC-DC Synchronous Rectifier MOSFET, Infineon
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 6,10
€ 6,10 Buc. (fara TVA)
€ 7,26
€ 7,26 Buc. (cu TVA)
Standard
1
€ 6,10
€ 6,10 Buc. (fara TVA)
€ 7,26
€ 7,26 Buc. (cu TVA)
Standard
1
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
| Cantitate | Pret unitar |
|---|---|
| 1 - 9 | € 6,10 |
| 10 - 24 | € 5,31 |
| 25 - 49 | € 4,90 |
| 50 - 99 | € 4,57 |
| 100+ | € 4,17 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
290 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Serie
HEXFET
Tip pachet
TO-247AC
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
3 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
520 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Latime
5.31mm
Typical Gate Charge @ Vgs
360 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
15.87mm
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Inaltime
20.7mm
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Detalii produs
Motor Control and AC-DC Synchronous Rectifier MOSFET, Infineon
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse