Infineon OptiMOS™ N-Channel MOSFET, 100 A, 150 V, 3-Pin TO-220 IPP075N15N3GXKSA1
Documente tehnice
Specificatii
Marca
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
100 A
Maximum Drain Source Voltage
150 V
Tip pachet
TO-220
Serie
OptiMOS™
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
7.7 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
300 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
20 V
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Typical Gate Charge @ Vgs
70 nC @ 10 V
Number of Elements per Chip
1
Latime
4.57mm
Lungime
10.36mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Inaltime
11.17mm
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 11,24
€ 5,62 Buc. (Intr-un pachet de 2) (fara TVA)
€ 13,38
€ 6,688 Buc. (Intr-un pachet de 2) (cu TVA)
2
€ 11,24
€ 5,62 Buc. (Intr-un pachet de 2) (fara TVA)
€ 13,38
€ 6,688 Buc. (Intr-un pachet de 2) (cu TVA)
2
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Incercati din nou mai tarziu
| Cantitate | Pret unitar | Per Pachet |
|---|---|---|
| 2 - 8 | € 5,62 | € 11,24 |
| 10 - 18 | € 5,29 | € 10,58 |
| 20 - 48 | € 4,57 | € 9,14 |
| 50 - 98 | € 4,20 | € 8,40 |
| 100+ | € 3,83 | € 7,66 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
100 A
Maximum Drain Source Voltage
150 V
Tip pachet
TO-220
Serie
OptiMOS™
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
7.7 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
300 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
20 V
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Typical Gate Charge @ Vgs
70 nC @ 10 V
Number of Elements per Chip
1
Latime
4.57mm
Lungime
10.36mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Inaltime
11.17mm
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse