Vishay N-Channel MOSFET, 2.6 A, 200 V, 3-Pin DPAK IRFR210TRPBF
Documente tehnice
Specificatii
Marca
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
2.6 A
Maximum Drain Source Voltage
200 V
Tip pachet
DPAK (TO-252)
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
1.5 Ω
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
25 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Transistor Material
Si
Latime
6.22mm
Number of Elements per Chip
1
Lungime
6.73mm
Typical Gate Charge @ Vgs
8.2 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Inaltime
2.38mm
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Forward Diode Voltage
2V
Tara de origine
Malaysia
Detalii produs
N-Channel MOSFET, 200V to 250V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 84,00
€ 0,84 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)
€ 99,96
€ 1,00 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)
Impachetare pentru productie (Rola)
100
€ 84,00
€ 0,84 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)
€ 99,96
€ 1,00 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)
Impachetare pentru productie (Rola)
100
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
| Cantitate | Pret unitar | Per Rola |
|---|---|---|
| 100 - 240 | € 0,84 | € 8,40 |
| 250 - 490 | € 0,77 | € 7,70 |
| 500 - 990 | € 0,72 | € 7,20 |
| 1000+ | € 0,59 | € 5,90 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
2.6 A
Maximum Drain Source Voltage
200 V
Tip pachet
DPAK (TO-252)
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
1.5 Ω
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
25 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Transistor Material
Si
Latime
6.22mm
Number of Elements per Chip
1
Lungime
6.73mm
Typical Gate Charge @ Vgs
8.2 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Inaltime
2.38mm
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Forward Diode Voltage
2V
Tara de origine
Malaysia
Detalii produs
N-Channel MOSFET, 200V to 250V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse