Vishay N-Channel MOSFET, 23 A, 400 V, 3-Pin TO-247AC IRFP360PBF
Documente tehnice
Specificatii
Marca
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
23 A
Maximum Drain Source Voltage
400 V
Tip pachet
TO-247AC
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
200 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
280 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Latime
5.31mm
Lungime
15.87mm
Typical Gate Charge @ Vgs
210 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Inaltime
20.7mm
Detalii produs
N-Channel MOSFET, 300V to 400V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 79,75
€ 3,19 Each (In a Tube of 25) (fara TVA)
€ 94,90
€ 3,796 Each (In a Tube of 25) (cu TVA)
25
€ 79,75
€ 3,19 Each (In a Tube of 25) (fara TVA)
€ 94,90
€ 3,796 Each (In a Tube of 25) (cu TVA)
25
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Incercati din nou mai tarziu
| Cantitate | Pret unitar | Per Tub |
|---|---|---|
| 25 - 25 | € 3,19 | € 79,75 |
| 50 - 100 | € 3,10 | € 77,50 |
| 125+ | € 2,91 | € 72,75 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
23 A
Maximum Drain Source Voltage
400 V
Tip pachet
TO-247AC
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
200 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
280 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Latime
5.31mm
Lungime
15.87mm
Typical Gate Charge @ Vgs
210 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Inaltime
20.7mm
Detalii produs
N-Channel MOSFET, 300V to 400V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse