Toshiba N-Channel MOSFET, 340 A, 40 V, 8-Pin SOP TPHR8504PL
Documente tehnice
Specificatii
Marca
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
340 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Tip pachet
SOP
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
8
Maximum Drain Source Resistance
1.4 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.4V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.4V
Maximum Power Dissipation
170 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Number of Elements per Chip
1
Latime
5mm
Lungime
5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
103 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Inaltime
0.95mm
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 10,50
€ 2,10 Buc. (Intr-un pachet de 5) (fara TVA)
€ 12,50
€ 2,499 Buc. (Intr-un pachet de 5) (cu TVA)
Standard
5
€ 10,50
€ 2,10 Buc. (Intr-un pachet de 5) (fara TVA)
€ 12,50
€ 2,499 Buc. (Intr-un pachet de 5) (cu TVA)
Standard
5
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Incercati din nou mai tarziu
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
340 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Tip pachet
SOP
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
8
Maximum Drain Source Resistance
1.4 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.4V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.4V
Maximum Power Dissipation
170 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Number of Elements per Chip
1
Latime
5mm
Lungime
5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
103 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Inaltime
0.95mm
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse