Toshiba TK N-Channel MOSFET, 72 A, 80 V, 3-Pin TO-220SIS TK72A08N1,S4X(S
Documente tehnice
Specificatii
Marca
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
72 A
Maximum Drain Source Voltage
80 V
Serie
TK
Tip pachet
TO-220SIS
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
4.5 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Maximum Power Dissipation
45 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Lungime
10mm
Typical Gate Charge @ Vgs
81 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Latime
4.5mm
Transistor Material
Si
Inaltime
15mm
Tara de origine
China
Detalii produs
MOSFET N-Channel, TK6 & TK7 Series, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 6,05
€ 1,21 Buc. (Intr-un pachet de 5) (fara TVA)
€ 7,20
€ 1,44 Buc. (Intr-un pachet de 5) (cu TVA)
5
€ 6,05
€ 1,21 Buc. (Intr-un pachet de 5) (fara TVA)
€ 7,20
€ 1,44 Buc. (Intr-un pachet de 5) (cu TVA)
5
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Incercati din nou mai tarziu
| Cantitate | Pret unitar | Per Pachet |
|---|---|---|
| 5 - 20 | € 1,21 | € 6,05 |
| 25 - 95 | € 1,06 | € 5,30 |
| 100 - 245 | € 0,91 | € 4,55 |
| 250 - 495 | € 0,86 | € 4,30 |
| 500+ | € 0,83 | € 4,15 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
72 A
Maximum Drain Source Voltage
80 V
Serie
TK
Tip pachet
TO-220SIS
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
4.5 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Maximum Power Dissipation
45 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Lungime
10mm
Typical Gate Charge @ Vgs
81 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Latime
4.5mm
Transistor Material
Si
Inaltime
15mm
Tara de origine
China
Detalii produs
MOSFET N-Channel, TK6 & TK7 Series, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse