Toshiba N-Channel MOSFET, 60 A, 60 V, 3-Pin DPAK TK60S06K3L

Nr. stoc RS: 171-2481PProducator: ToshibaCod de producator: TK60S06K3L
brand-logo

Documente tehnice

Specificatii

Marca

Toshiba

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

60 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Tip pachet

DPAK (TO-252)

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

12.3 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

3V

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

88 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

±20 V

Number of Elements per Chip

1

Latime

7mm

Lungime

6.5mm

Typical Gate Charge @ Vgs

60 nC @ 10 V

Temperatura maxima de lucru

+175 °C

Forward Diode Voltage

1.2V

Inaltime

2.3mm

Automotive Standard

AEC-Q101

Tara de origine

Japan

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
Informatii despre stoc temporar indisponibile

€ 6,10

€ 1,22 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)

€ 7,26

€ 1,452 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)

Toshiba N-Channel MOSFET, 60 A, 60 V, 3-Pin DPAK TK60S06K3L
Selectati tipul de ambalaj

€ 6,10

€ 1,22 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)

€ 7,26

€ 1,452 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)

Toshiba N-Channel MOSFET, 60 A, 60 V, 3-Pin DPAK TK60S06K3L
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Selectati tipul de ambalaj

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Incercati din nou mai tarziu

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice

Specificatii

Marca

Toshiba

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

60 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Tip pachet

DPAK (TO-252)

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

12.3 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

3V

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

88 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

±20 V

Number of Elements per Chip

1

Latime

7mm

Lungime

6.5mm

Typical Gate Charge @ Vgs

60 nC @ 10 V

Temperatura maxima de lucru

+175 °C

Forward Diode Voltage

1.2V

Inaltime

2.3mm

Automotive Standard

AEC-Q101

Tara de origine

Japan

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe