Toshiba TK N-Channel MOSFET, 20 A, 600 V, 3-Pin TO-3PN TK20J60W,S1VQ(O

Nr. stoc RS: 168-7964Producator: ToshibaCod de producator: TK20J60W,S1VQ(O
brand-logo

Documente tehnice

Specificatii

Marca

Toshiba

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

20 A

Maximum Drain Source Voltage

600 V

Serie

TK

Tip pachet

TO-3PN

Timp montare

Through Hole

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

155 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

3.7V

Maximum Power Dissipation

165 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Latime

4.5mm

Number of Elements per Chip

1

Lungime

15.5mm

Typical Gate Charge @ Vgs

48 nC @ 10 V

Transistor Material

Si

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Inaltime

20mm

Tara de origine

Japan

Detalii produs

MOSFET N-Channel, TK2x Series, Toshiba

MOSFET Transistors, Toshiba

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
Informatii despre stoc temporar indisponibile

€ 137,25

€ 5,49 Each (In a Tube of 25) (fara TVA)

€ 163,33

€ 6,533 Each (In a Tube of 25) (cu TVA)

Toshiba TK N-Channel MOSFET, 20 A, 600 V, 3-Pin TO-3PN TK20J60W,S1VQ(O

€ 137,25

€ 5,49 Each (In a Tube of 25) (fara TVA)

€ 163,33

€ 6,533 Each (In a Tube of 25) (cu TVA)

Toshiba TK N-Channel MOSFET, 20 A, 600 V, 3-Pin TO-3PN TK20J60W,S1VQ(O
Informatii despre stoc temporar indisponibile

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Incercati din nou mai tarziu

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice

Specificatii

Marca

Toshiba

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

20 A

Maximum Drain Source Voltage

600 V

Serie

TK

Tip pachet

TO-3PN

Timp montare

Through Hole

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

155 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

3.7V

Maximum Power Dissipation

165 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Latime

4.5mm

Number of Elements per Chip

1

Lungime

15.5mm

Typical Gate Charge @ Vgs

48 nC @ 10 V

Transistor Material

Si

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Inaltime

20mm

Tara de origine

Japan

Detalii produs

MOSFET N-Channel, TK2x Series, Toshiba

MOSFET Transistors, Toshiba

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe