Toshiba N-Channel MOSFET, 2 A, 40 V, 3-Pin SOT-23 SSM3K339R
Documente tehnice
Specificatii
Marca
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
2 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Tip pachet
SOT-23
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
390 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.2V
Maximum Power Dissipation
2 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±12 V
Number of Elements per Chip
1
Latime
1.8mm
Lungime
2.9mm
Typical Gate Charge @ Vgs
1.1 nC @ 4.2 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Inaltime
0.7mm
Tara de origine
Thailand
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 7,50
€ 0,15 Buc. (Intr-un pachet de 50) (fara TVA)
€ 8,92
€ 0,178 Buc. (Intr-un pachet de 50) (cu TVA)
Standard
50
€ 7,50
€ 0,15 Buc. (Intr-un pachet de 50) (fara TVA)
€ 8,92
€ 0,178 Buc. (Intr-un pachet de 50) (cu TVA)
Standard
50
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Incercati din nou mai tarziu
| Cantitate | Pret unitar | Per Pachet |
|---|---|---|
| 50 - 100 | € 0,15 | € 7,50 |
| 150 - 450 | € 0,12 | € 6,00 |
| 500 - 950 | € 0,10 | € 5,00 |
| 1000+ | € 0,09 | € 4,50 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
2 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Tip pachet
SOT-23
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
390 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.2V
Maximum Power Dissipation
2 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±12 V
Number of Elements per Chip
1
Latime
1.8mm
Lungime
2.9mm
Typical Gate Charge @ Vgs
1.1 nC @ 4.2 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Inaltime
0.7mm
Tara de origine
Thailand
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse