STMicroelectronics STripFET N-Channel MOSFET, 50 A, 100 V, 3-Pin TO-220 STP40NF10
Documente tehnice
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
50 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Tip pachet
TO-220
Serie
STripFET
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
28 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
150 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Lungime
10.4mm
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Typical Gate Charge @ Vgs
46.5 nC @ 10 V
Latime
4.6mm
Transistor Material
Si
Inaltime
9.15mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Detalii produs
N-Channel STripFET™, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 23,00
€ 2,30 Each (Supplied in a Tube) (fara TVA)
€ 27,37
€ 2,737 Each (Supplied in a Tube) (cu TVA)
Impachetare pentru productie (Tub)
10
€ 23,00
€ 2,30 Each (Supplied in a Tube) (fara TVA)
€ 27,37
€ 2,737 Each (Supplied in a Tube) (cu TVA)
Impachetare pentru productie (Tub)
10
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
50 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Tip pachet
TO-220
Serie
STripFET
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
28 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
150 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Lungime
10.4mm
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Typical Gate Charge @ Vgs
46.5 nC @ 10 V
Latime
4.6mm
Transistor Material
Si
Inaltime
9.15mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Detalii produs
N-Channel STripFET™, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse