STMicroelectronics N-Channel MOSFET Transistor, 15 A, 3-Pin TO-220 STP26N60DM6
Documente tehnice
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
15 A
Tip pachet
TO-220
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
195 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.75V
Minimum Gate Threshold Voltage
3.25V
Maximum Power Dissipation
110 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±25 V
Number of Elements per Chip
1
Latime
4.6mm
Lungime
10.4mm
Typical Gate Charge @ Vgs
24 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.6V
Inaltime
15.75mm
Tara de origine
China
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 9,86
€ 4,93 Buc. (Intr-un pachet de 2) (fara TVA)
€ 11,73
€ 5,867 Buc. (Intr-un pachet de 2) (cu TVA)
Standard
2
€ 9,86
€ 4,93 Buc. (Intr-un pachet de 2) (fara TVA)
€ 11,73
€ 5,867 Buc. (Intr-un pachet de 2) (cu TVA)
Standard
2
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Incercati din nou mai tarziu
| Cantitate | Pret unitar | Per Pachet |
|---|---|---|
| 2 - 8 | € 4,93 | € 9,86 |
| 10 - 18 | € 4,59 | € 9,18 |
| 20 - 48 | € 4,31 | € 8,62 |
| 50 - 98 | € 4,03 | € 8,06 |
| 100+ | € 3,80 | € 7,60 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
15 A
Tip pachet
TO-220
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
195 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.75V
Minimum Gate Threshold Voltage
3.25V
Maximum Power Dissipation
110 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±25 V
Number of Elements per Chip
1
Latime
4.6mm
Lungime
10.4mm
Typical Gate Charge @ Vgs
24 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.6V
Inaltime
15.75mm
Tara de origine
China
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse