STMicroelectronics STripFET F3 N-Channel MOSFET, 80 A, 55 V, 3-Pin DPAK STD65N55F3
Documente tehnice
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
80 A
Maximum Drain Source Voltage
55 V
Serie
STripFET F3
Tip pachet
DPAK (TO-252)
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
8.5 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
110 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Latime
6.2mm
Lungime
6.6mm
Typical Gate Charge @ Vgs
33.5 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Inaltime
2.4mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Tara de origine
China
Detalii produs
N-Channel STripFET™ F3, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 3.425,00
€ 1,37 Buc. (Pe o rola de 2500) (fara TVA)
€ 4.075,75
€ 1,63 Buc. (Pe o rola de 2500) (cu TVA)
2500
€ 3.425,00
€ 1,37 Buc. (Pe o rola de 2500) (fara TVA)
€ 4.075,75
€ 1,63 Buc. (Pe o rola de 2500) (cu TVA)
2500
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Incercati din nou mai tarziu
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
80 A
Maximum Drain Source Voltage
55 V
Serie
STripFET F3
Tip pachet
DPAK (TO-252)
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
8.5 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
110 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Latime
6.2mm
Lungime
6.6mm
Typical Gate Charge @ Vgs
33.5 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Inaltime
2.4mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Tara de origine
China
Detalii produs
N-Channel STripFET™ F3, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse