STMicroelectronics STripFET P-Channel MOSFET, 12 A, 30 V, 3-Pin DPAK STD26P3LLH6
Documente tehnice
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
12 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Serie
STripFET
Tip pachet
DPAK (TO-252)
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
45 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
40 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Latime
6.2mm
Lungime
6.6mm
Typical Gate Charge @ Vgs
12 nC @ 4.5 V
Transistor Material
Si
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Inaltime
2.4mm
Tara de origine
China
Detalii produs
P-Channel STripFET™ Power MOSFET, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 1.400,00
€ 0,56 Buc. (Pe o rola de 2500) (fara TVA)
€ 1.666,00
€ 0,666 Buc. (Pe o rola de 2500) (cu TVA)
2500
€ 1.400,00
€ 0,56 Buc. (Pe o rola de 2500) (fara TVA)
€ 1.666,00
€ 0,666 Buc. (Pe o rola de 2500) (cu TVA)
2500
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Incercati din nou mai tarziu
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
12 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Serie
STripFET
Tip pachet
DPAK (TO-252)
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
45 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
40 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Latime
6.2mm
Lungime
6.6mm
Typical Gate Charge @ Vgs
12 nC @ 4.5 V
Transistor Material
Si
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Inaltime
2.4mm
Tara de origine
China
Detalii produs
P-Channel STripFET™ Power MOSFET, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse