onsemi SiC Power SiC N-Channel MOSFET, 142 A, 650 V, 4-Pin TO-247-4 NTH4L015N065SC1

Nr. stoc RS: 229-6458Producator: onsemiCod de producator: NTH4L015N065SC1
brand-logo

Documente tehnice

Specificatii

Marca

onsemi

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

142 A

Maximum Drain Source Voltage

650 V

Serie

SiC Power

Tip pachet

TO-247-4

Timp montare

Through Hole

Numar pini

4

Maximum Drain Source Resistance

0.012 Ω

Maximum Gate Threshold Voltage

4.3V

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

SiC

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
Informatii despre stoc temporar indisponibile

€ 27,44

€ 27,44 Buc. (fara TVA)

€ 32,65

€ 32,65 Buc. (cu TVA)

onsemi SiC Power SiC N-Channel MOSFET, 142 A, 650 V, 4-Pin TO-247-4 NTH4L015N065SC1
Selectati tipul de ambalaj

€ 27,44

€ 27,44 Buc. (fara TVA)

€ 32,65

€ 32,65 Buc. (cu TVA)

onsemi SiC Power SiC N-Channel MOSFET, 142 A, 650 V, 4-Pin TO-247-4 NTH4L015N065SC1
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Selectati tipul de ambalaj

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Incercati din nou mai tarziu

CantitatePret unitar
1 - 9€ 27,44
10 - 99€ 23,43
100+€ 20,12

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice

Specificatii

Marca

onsemi

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

142 A

Maximum Drain Source Voltage

650 V

Serie

SiC Power

Tip pachet

TO-247-4

Timp montare

Through Hole

Numar pini

4

Maximum Drain Source Resistance

0.012 Ω

Maximum Gate Threshold Voltage

4.3V

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

SiC

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe