IXYS GigaMOS, HiperFET N-Channel MOSFET, 500 A, 75 V, 24-Pin SMPD MMIX1F520N075T2
Documente tehnice
Specificatii
Marca
IXYSChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
500 A
Maximum Drain Source Voltage
75 V
Tip pachet
SMPD
Serie
GigaMOS, HiperFET
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
24
Maximum Drain Source Resistance
1.6 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Maximum Power Dissipation
830 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Number of Elements per Chip
1
Lungime
25.25mm
Typical Gate Charge @ Vgs
545 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Latime
23.25mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.25V
Inaltime
5.7mm
Detalii produs
N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ GigaMOS™ Series
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 377,60
€ 18,88 Each (In a Tube of 20) (fara TVA)
€ 449,34
€ 22,467 Each (In a Tube of 20) (cu TVA)
20
€ 377,60
€ 18,88 Each (In a Tube of 20) (fara TVA)
€ 449,34
€ 22,467 Each (In a Tube of 20) (cu TVA)
20
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Incercati din nou mai tarziu
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
IXYSChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
500 A
Maximum Drain Source Voltage
75 V
Tip pachet
SMPD
Serie
GigaMOS, HiperFET
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
24
Maximum Drain Source Resistance
1.6 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Maximum Power Dissipation
830 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Number of Elements per Chip
1
Lungime
25.25mm
Typical Gate Charge @ Vgs
545 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Latime
23.25mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.25V
Inaltime
5.7mm
Detalii produs
N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ GigaMOS™ Series
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse