IXYS Trench N-Channel MOSFET, 110 A, 250 V, 3-Pin TO-247 IXTH110N25T

Nr. stoc RS: 168-4583Producator: IXYSCod de producator: IXTH110N25T
brand-logo
Vezi toate produsele din Tranzistoare MOSFET

Documente tehnice

Specificatii

Marca

IXYS

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

110 A

Maximum Drain Source Voltage

250 V

Tip pachet

TO-247

Serie

Trench

Timp montare

Through Hole

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

24 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

5V

Minimum Gate Threshold Voltage

3V

Maximum Power Dissipation

694 W

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Number of Elements per Chip

1

Lungime

16.26mm

Typical Gate Charge @ Vgs

157 nC @ 10 V

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Latime

5.3mm

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.2V

Inaltime

21.46mm

Detalii produs

N-Channel Trench-Gate Power MOSFET, IXYS

MOSFET Transistors, IXYS

A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
Informatii despre stoc temporar indisponibile

€ 189,60

€ 6,32 Each (In a Tube of 30) (fara TVA)

€ 225,62

€ 7,521 Each (In a Tube of 30) (cu TVA)

IXYS Trench N-Channel MOSFET, 110 A, 250 V, 3-Pin TO-247 IXTH110N25T

30

Disponibil in multiplu de 30
30€ 189,60
60€ 379,20
90€ 568,80
120€ 758,40
150€ 948,00
180€ 1.137,60
210€ 1.327,20
240€ 1.516,80
270€ 1.706,40
300€ 1.896,00
330€ 2.085,60
360€ 2.275,20
390€ 2.464,80
420€ 2.654,40
450€ 2.844,00

€ 189,60

€ 6,32 Each (In a Tube of 30) (fara TVA)

€ 225,62

€ 7,521 Each (In a Tube of 30) (cu TVA)

IXYS Trench N-Channel MOSFET, 110 A, 250 V, 3-Pin TO-247 IXTH110N25T
Informatii despre stoc temporar indisponibile

30

Disponibil in multiplu de 30
30€ 189,60
60€ 379,20
90€ 568,80
120€ 758,40
150€ 948,00
180€ 1.137,60
210€ 1.327,20
240€ 1.516,80
270€ 1.706,40
300€ 1.896,00
330€ 2.085,60
360€ 2.275,20
390€ 2.464,80
420€ 2.654,40
450€ 2.844,00

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Incercati din nou mai tarziu

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice

Specificatii

Marca

IXYS

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

110 A

Maximum Drain Source Voltage

250 V

Tip pachet

TO-247

Serie

Trench

Timp montare

Through Hole

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

24 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

5V

Minimum Gate Threshold Voltage

3V

Maximum Power Dissipation

694 W

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Number of Elements per Chip

1

Lungime

16.26mm

Typical Gate Charge @ Vgs

157 nC @ 10 V

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Latime

5.3mm

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.2V

Inaltime

21.46mm

Detalii produs

N-Channel Trench-Gate Power MOSFET, IXYS

MOSFET Transistors, IXYS

A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe