IXYS HiperFET, Q-Class N-Channel MOSFET, 48 A, 600 V, 3-Pin TO-264 IXFK48N60Q3
Documente tehnice
Specificatii
Marca
IXYSChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
48 A
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Serie
HiperFET, Q-Class
Tip pachet
TO-264
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
140 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
6.5V
Maximum Power Dissipation
1 kW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Latime
5.13mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
19.96mm
Typical Gate Charge @ Vgs
140 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Inaltime
26.16mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Tara de origine
United States
Detalii produs
N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Q3 Series
The IXYS Q3 class of HiperFET™ Power MOSFETs are suitable for both hard switching and resonant mode applications, and offer low gate charge with exceptional ruggedness. The devices incorporate a fast intrinsic diode and are available in a variety of industry-standard packages including isolated types, with ratings of up to 1100V and 70A. Typical applications include DC-DC converters, battery chargers, switch-mode and resonant-mode power supplies, DC Choppers, temperature and lighting control.
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 442,50
€ 17,70 Each (In a Tube of 25) (fara TVA)
€ 526,58
€ 21,063 Each (In a Tube of 25) (cu TVA)
25
€ 442,50
€ 17,70 Each (In a Tube of 25) (fara TVA)
€ 526,58
€ 21,063 Each (In a Tube of 25) (cu TVA)
25
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Incercati din nou mai tarziu
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
IXYSChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
48 A
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Serie
HiperFET, Q-Class
Tip pachet
TO-264
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
140 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
6.5V
Maximum Power Dissipation
1 kW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Latime
5.13mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
19.96mm
Typical Gate Charge @ Vgs
140 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Inaltime
26.16mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Tara de origine
United States
Detalii produs
N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Q3 Series
The IXYS Q3 class of HiperFET™ Power MOSFETs are suitable for both hard switching and resonant mode applications, and offer low gate charge with exceptional ruggedness. The devices incorporate a fast intrinsic diode and are available in a variety of industry-standard packages including isolated types, with ratings of up to 1100V and 70A. Typical applications include DC-DC converters, battery chargers, switch-mode and resonant-mode power supplies, DC Choppers, temperature and lighting control.
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse