Infineon CoolMOS™ C3 N-Channel MOSFET, 6 A, 800 V, 3-Pin TO-220 SPP06N80C3XKSA1
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
6 A
Maximum Drain Source Voltage
800 V
Serie
CoolMOS™ C3
Tip pachet
TO-220
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
900 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.9V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.1V
Maximum Power Dissipation
83 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Latime
4.57mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
10.36mm
Typical Gate Charge @ Vgs
31 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Inaltime
15.95mm
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Detalii produs
Infineon CoolMOS™C3 Power MOSFET
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 62,00
€ 1,24 Each (Supplied in a Tube) (fara TVA)
€ 75,02
€ 1,50 Each (Supplied in a Tube) (cu TVA)
Impachetare pentru productie (Tub)
50
€ 62,00
€ 1,24 Each (Supplied in a Tube) (fara TVA)
€ 75,02
€ 1,50 Each (Supplied in a Tube) (cu TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Impachetare pentru productie (Tub)
50
Informatii despre stoc temporar indisponibile
| Cantitate | Pret unitar | Per Tub |
|---|---|---|
| 50 - 90 | € 1,24 | € 12,40 |
| 100+ | € 1,11 | € 11,10 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
6 A
Maximum Drain Source Voltage
800 V
Serie
CoolMOS™ C3
Tip pachet
TO-220
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
900 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.9V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.1V
Maximum Power Dissipation
83 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Latime
4.57mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
10.36mm
Typical Gate Charge @ Vgs
31 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Inaltime
15.95mm
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Detalii produs
Infineon CoolMOS™C3 Power MOSFET
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse