Infineon N-Channel MOSFET, 1.2 A, 30 V, 3-Pin SOT-23 IRLML2803TRPBF

Nr. stoc RS: 302-022PProducator: InfineonCod de producator: IRLML2803TRPBF
brand-logo
Vezi toate produsele din Tranzistoare MOSFET

Documente tehnice

Specificatii

Marca

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

1.2 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Tip pachet

SOT-23

Serie

HEXFET

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

250 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

1V

Minimum Gate Threshold Voltage

1V

Maximum Power Dissipation

540 mW

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Typical Gate Charge @ Vgs

3.3 nC @ 10 V

Latime

1.4mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Lungime

3.04mm

Inaltime

1.02mm

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.2V

Detalii produs

N-Channel Power MOSFET 30V, Infineon

The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
Informatii indisponibile despre stoc

€ 14,50

€ 0,29 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)

€ 17,26

€ 0,345 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)

Infineon N-Channel MOSFET, 1.2 A, 30 V, 3-Pin SOT-23 IRLML2803TRPBF
Selectati tipul de ambalaj

Impachetare pentru productie (Rola)

Selectati tipul de ambalaj

Standard - each

Disponibil in multiplu de 5.

Productie -

Disponibil in multiplu de 5.

Recomandat pentru comenzi cu cantitati mari. Articolele sunt gata ambalate pentru a fi introduse in utilaje, permitandu-va sa imbunatatiti eficienta productiei.

50

Disponibil in multiplu de 5
50€ 14,50
55€ 15,95
60€ 17,40
65€ 18,85
70€ 20,30
75€ 21,75
80€ 23,20
85€ 24,65
90€ 26,10
95€ 27,55
100€ 29,00
105€ 30,45
110€ 31,90
115€ 33,35
120€ 34,80

€ 14,50

€ 0,29 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)

€ 17,26

€ 0,345 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)

Infineon N-Channel MOSFET, 1.2 A, 30 V, 3-Pin SOT-23 IRLML2803TRPBF
Informatii indisponibile despre stoc
Selectati tipul de ambalaj

Impachetare pentru productie (Rola)

Selectati tipul de ambalaj

Standard - each

Disponibil in multiplu de 5.

Productie -

Disponibil in multiplu de 5.

Recomandat pentru comenzi cu cantitati mari. Articolele sunt gata ambalate pentru a fi introduse in utilaje, permitandu-va sa imbunatatiti eficienta productiei.

50

Disponibil in multiplu de 5
50€ 14,50
55€ 15,95
60€ 17,40
65€ 18,85
70€ 20,30
75€ 21,75
80€ 23,20
85€ 24,65
90€ 26,10
95€ 27,55
100€ 29,00
105€ 30,45
110€ 31,90
115€ 33,35
120€ 34,80

Informatii indisponibile despre stoc

Incercati din nou mai tarziu

CantitatePret unitarPer Rola
50 - 245€ 0,29€ 1,45
250 - 495€ 0,22€ 1,10
500 - 1245€ 0,18€ 0,90
1250+€ 0,15€ 0,75

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice

Specificatii

Marca

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

1.2 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Tip pachet

SOT-23

Serie

HEXFET

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

250 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

1V

Minimum Gate Threshold Voltage

1V

Maximum Power Dissipation

540 mW

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Typical Gate Charge @ Vgs

3.3 nC @ 10 V

Latime

1.4mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Lungime

3.04mm

Inaltime

1.02mm

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.2V

Detalii produs

N-Channel Power MOSFET 30V, Infineon

The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe