Infineon HEXFET Dual N/P-Channel-Channel MOSFET, 2.3 A, 3.5 A, 25 V, 8-Pin SOIC IRF7105TRPBF

Nr. stoc RS: 165-5912Producator: InfineonCod de producator: IRF7105TRPBF
brand-logo

Documente tehnice

Specificatii

Channel Type

N, P

Maximum Continuous Drain Current

2.3 A, 3.5 A

Maximum Drain Source Voltage

25 V

Serie

HEXFET

Tip pachet

SOIC

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

8

Maximum Drain Source Resistance

160 mΩ, 400 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

3V

Minimum Gate Threshold Voltage

1V

Maximum Power Dissipation

2 W

Transistor Configuration

Isolated

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Number of Elements per Chip

2

Latime

4mm

Lungime

5mm

Typical Gate Charge @ Vgs

10 nC @ 10 V, 9.4 nC @ 10 V

Transistor Material

Si

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Inaltime

1.5mm

Detalii produs

Dual N/P-Channel Power MOSFET, Infineon

Infineon’s dual power MOSFETs integrate two HEXFET® devices to provide space-saving, cost-effective switching solutions in high component density designs where board space is at a premium. A variety of package options is available and designers can choose the Dual N/P-channel configuration.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
Informatii despre stoc temporar indisponibile

€ 1.120,00

€ 0,28 Buc. (Pe o rola de 4000) (fara TVA)

€ 1.332,80

€ 0,333 Buc. (Pe o rola de 4000) (cu TVA)

Infineon HEXFET Dual N/P-Channel-Channel MOSFET, 2.3 A, 3.5 A, 25 V, 8-Pin SOIC IRF7105TRPBF

€ 1.120,00

€ 0,28 Buc. (Pe o rola de 4000) (fara TVA)

€ 1.332,80

€ 0,333 Buc. (Pe o rola de 4000) (cu TVA)

Infineon HEXFET Dual N/P-Channel-Channel MOSFET, 2.3 A, 3.5 A, 25 V, 8-Pin SOIC IRF7105TRPBF
Informatii despre stoc temporar indisponibile

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Incercati din nou mai tarziu

CantitatePret unitarPer Rola
4000 - 4000€ 0,28€ 1.120,00
8000+€ 0,26€ 1.040,00

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice

Specificatii

Channel Type

N, P

Maximum Continuous Drain Current

2.3 A, 3.5 A

Maximum Drain Source Voltage

25 V

Serie

HEXFET

Tip pachet

SOIC

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

8

Maximum Drain Source Resistance

160 mΩ, 400 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

3V

Minimum Gate Threshold Voltage

1V

Maximum Power Dissipation

2 W

Transistor Configuration

Isolated

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Number of Elements per Chip

2

Latime

4mm

Lungime

5mm

Typical Gate Charge @ Vgs

10 nC @ 10 V, 9.4 nC @ 10 V

Transistor Material

Si

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Inaltime

1.5mm

Detalii produs

Dual N/P-Channel Power MOSFET, Infineon

Infineon’s dual power MOSFETs integrate two HEXFET® devices to provide space-saving, cost-effective switching solutions in high component density designs where board space is at a premium. A variety of package options is available and designers can choose the Dual N/P-channel configuration.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe