Infineon HEXFET Dual Silicon N-Channel MOSFET, 140 A, 75 V, 3-Pin TO-220AB IRF3808PBF

Nr. stoc RS: 262-6729PProducator: InfineonCod de producator: IRF3808PBF
brand-logo

Documente tehnice

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

140 A

Maximum Drain Source Voltage

75 V

Serie

HEXFET

Tip pachet

TO-220AB

Timp montare

Through Hole

Numar pini

3

Channel Mode

Enhancement

Number of Elements per Chip

2

Transistor Material

Silicon

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
Informatii despre stoc temporar indisponibile

€ 63,25

€ 2,53 Each (Supplied in a Tube) (fara TVA)

€ 75,27

€ 3,011 Each (Supplied in a Tube) (cu TVA)

Infineon HEXFET Dual Silicon N-Channel MOSFET, 140 A, 75 V, 3-Pin TO-220AB IRF3808PBF
Selectati tipul de ambalaj

€ 63,25

€ 2,53 Each (Supplied in a Tube) (fara TVA)

€ 75,27

€ 3,011 Each (Supplied in a Tube) (cu TVA)

Infineon HEXFET Dual Silicon N-Channel MOSFET, 140 A, 75 V, 3-Pin TO-220AB IRF3808PBF
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Selectati tipul de ambalaj

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Incercati din nou mai tarziu

CantitatePret unitarPer Tub
25 - 45€ 2,53€ 12,65
50 - 120€ 2,35€ 11,75
125 - 245€ 2,15€ 10,75
250+€ 1,99€ 9,95

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

140 A

Maximum Drain Source Voltage

75 V

Serie

HEXFET

Tip pachet

TO-220AB

Timp montare

Through Hole

Numar pini

3

Channel Mode

Enhancement

Number of Elements per Chip

2

Transistor Material

Silicon

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe