Infineon Silicon N-Channel MOSFET, 31.2 A, 650 V, 3-Pin TO-220 IPP65R110CFDAAKSA1

Nr. stoc RS: 222-4707Producator: InfineonCod de producator: IPP65R110CFDAAKSA1
brand-logo

Documente tehnice

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

31.2 A

Maximum Drain Source Voltage

650 V

Serie

CoolMOS™

Tip pachet

TO-220

Timp montare

Through Hole

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

0.11 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4.5V

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

Silicon

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
Informatii despre stoc temporar indisponibile

€ 15,44

€ 7,72 Buc. (Intr-un pachet de 2) (fara TVA)

€ 18,37

€ 9,187 Buc. (Intr-un pachet de 2) (cu TVA)

Infineon Silicon N-Channel MOSFET, 31.2 A, 650 V, 3-Pin TO-220 IPP65R110CFDAAKSA1
Selectati tipul de ambalaj

€ 15,44

€ 7,72 Buc. (Intr-un pachet de 2) (fara TVA)

€ 18,37

€ 9,187 Buc. (Intr-un pachet de 2) (cu TVA)

Infineon Silicon N-Channel MOSFET, 31.2 A, 650 V, 3-Pin TO-220 IPP65R110CFDAAKSA1
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Selectati tipul de ambalaj

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Incercati din nou mai tarziu

CantitatePret unitarPer Pachet
2 - 8€ 7,72€ 15,44
10 - 18€ 6,73€ 13,46
20 - 48€ 6,21€ 12,42
50 - 98€ 5,78€ 11,56
100+€ 5,27€ 10,54

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

31.2 A

Maximum Drain Source Voltage

650 V

Serie

CoolMOS™

Tip pachet

TO-220

Timp montare

Through Hole

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

0.11 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4.5V

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

Silicon

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe