Infineon CoolMOS™ Silicon N-Channel MOSFET, 44 A, 300 V, 3-Pin TO-220 IPP410N30NAKSA1

Nr. stoc RS: 222-4694Producator: InfineonCod de producator: IPP410N30NAKSA1
brand-logo

Documente tehnice

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

44 A

Maximum Drain Source Voltage

300 V

Serie

CoolMOS™

Tip pachet

TO-220

Timp montare

Through Hole

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

0.041 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

Silicon

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
Informatii despre stoc temporar indisponibile

€ 206,00

€ 4,12 Each (In a Tube of 50) (fara TVA)

€ 245,14

€ 4,903 Each (In a Tube of 50) (cu TVA)

Infineon CoolMOS™ Silicon N-Channel MOSFET, 44 A, 300 V, 3-Pin TO-220 IPP410N30NAKSA1

€ 206,00

€ 4,12 Each (In a Tube of 50) (fara TVA)

€ 245,14

€ 4,903 Each (In a Tube of 50) (cu TVA)

Infineon CoolMOS™ Silicon N-Channel MOSFET, 44 A, 300 V, 3-Pin TO-220 IPP410N30NAKSA1
Informatii despre stoc temporar indisponibile

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Incercati din nou mai tarziu

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

44 A

Maximum Drain Source Voltage

300 V

Serie

CoolMOS™

Tip pachet

TO-220

Timp montare

Through Hole

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

0.041 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

Silicon

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe