Infineon OptiMOS™ Dual N-Channel MOSFET, 20 A, 60 V, 8-Pin TDSON IPG20N06S4L26AATMA1

Nr. stoc RS: 223-8523Producator: InfineonCod de producator: IPG20N06S4L26AATMA1
brand-logo

Documente tehnice

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

20 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Tip pachet

TDSON

Serie

OptiMOS™

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

8

Maximum Drain Source Resistance

0.026 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.2V

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

2

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
Informatii despre stoc temporar indisponibile

€ 14,10

€ 0,94 Buc. (Intr-un pachet de 15) (fara TVA)

€ 16,78

€ 1,119 Buc. (Intr-un pachet de 15) (cu TVA)

Infineon OptiMOS™ Dual N-Channel MOSFET, 20 A, 60 V, 8-Pin TDSON IPG20N06S4L26AATMA1
Selectati tipul de ambalaj

€ 14,10

€ 0,94 Buc. (Intr-un pachet de 15) (fara TVA)

€ 16,78

€ 1,119 Buc. (Intr-un pachet de 15) (cu TVA)

Infineon OptiMOS™ Dual N-Channel MOSFET, 20 A, 60 V, 8-Pin TDSON IPG20N06S4L26AATMA1
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Selectati tipul de ambalaj

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Incercati din nou mai tarziu

CantitatePret unitarPer Pachet
15 - 60€ 0,94€ 14,10
75 - 135€ 0,89€ 13,35
150 - 360€ 0,86€ 12,90
375 - 735€ 0,80€ 12,00
750+€ 0,73€ 10,95

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

20 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Tip pachet

TDSON

Serie

OptiMOS™

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

8

Maximum Drain Source Resistance

0.026 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.2V

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

2

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe