Infineon CoolSiC Silicon N-Channel MOSFET, 35 A, 650 V, 4-Pin TO-247-4 IMZA65R057M1HXKSA1

Nr. stoc RS: 232-0410Producator: InfineonCod de producator: IMZA65R057M1HXKSA1
brand-logo

Documente tehnice

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

35 A

Maximum Drain Source Voltage

650 V

Tip pachet

TO-247-4

Serie

CoolSiC

Timp montare

Through Hole

Numar pini

4

Maximum Drain Source Resistance

0.074 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

5.7V

Transistor Material

Silicon

Number of Elements per Chip

1

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
Informatii despre stoc temporar indisponibile

€ 7,43

€ 7,43 Buc. (fara TVA)

€ 8,84

€ 8,84 Buc. (cu TVA)

Infineon CoolSiC Silicon N-Channel MOSFET, 35 A, 650 V, 4-Pin TO-247-4 IMZA65R057M1HXKSA1
Selectati tipul de ambalaj

€ 7,43

€ 7,43 Buc. (fara TVA)

€ 8,84

€ 8,84 Buc. (cu TVA)

Infineon CoolSiC Silicon N-Channel MOSFET, 35 A, 650 V, 4-Pin TO-247-4 IMZA65R057M1HXKSA1
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Selectati tipul de ambalaj

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Incercati din nou mai tarziu

CantitatePret unitar
1 - 4€ 7,43
5 - 9€ 7,00
10 - 24€ 6,63
25 - 49€ 6,27
50+€ 5,79

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

35 A

Maximum Drain Source Voltage

650 V

Tip pachet

TO-247-4

Serie

CoolSiC

Timp montare

Through Hole

Numar pini

4

Maximum Drain Source Resistance

0.074 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

5.7V

Transistor Material

Silicon

Number of Elements per Chip

1

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe