Diodes Inc P-Channel MOSFET, 8.6 A, 40 V, 3-Pin DPAK DMP4025LK3-13
Documente tehnice
Specificatii
Marca
DiodesZetexChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
8.6 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Tip pachet
DPAK (TO-252)
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
45 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.8V
Maximum Power Dissipation
2.78 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Latime
6.2mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
6.7mm
Typical Gate Charge @ Vgs
33.7 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Inaltime
2.26mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Detalii produs
P-Channel MOSFET, 40V to 90V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 9,50
€ 0,38 Buc. (Intr-un pachet de 25) (fara TVA)
€ 11,30
€ 0,452 Buc. (Intr-un pachet de 25) (cu TVA)
Standard
25
€ 9,50
€ 0,38 Buc. (Intr-un pachet de 25) (fara TVA)
€ 11,30
€ 0,452 Buc. (Intr-un pachet de 25) (cu TVA)
Standard
25
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Incercati din nou mai tarziu
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
DiodesZetexChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
8.6 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Tip pachet
DPAK (TO-252)
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
45 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.8V
Maximum Power Dissipation
2.78 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Latime
6.2mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
6.7mm
Typical Gate Charge @ Vgs
33.7 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Inaltime
2.26mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Detalii produs
P-Channel MOSFET, 40V to 90V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse