Diodes Inc N-Channel MOSFET, 1.3 A, 20 V, 3-Pin X2-DFN1006 DMN2300UFB4-7B
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
DiodesZetexChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
1.3 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Tip pachet
X2-DFN1006
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
500 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
0.95V
Maximum Power Dissipation
500 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +8 V
Latime
0.65mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
1.05mm
Typical Gate Charge @ Vgs
1.6 nC @ 4.5 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Inaltime
0.35mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Tara de origine
China
Detalii produs
N-Channel MOSFET, 12V to 28V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 7,50
€ 0,15 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)
€ 9,08
€ 0,182 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)
Impachetare pentru productie (Rola)
50
€ 7,50
€ 0,15 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)
€ 9,08
€ 0,182 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Impachetare pentru productie (Rola)
50
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
DiodesZetexChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
1.3 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Tip pachet
X2-DFN1006
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
500 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
0.95V
Maximum Power Dissipation
500 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +8 V
Latime
0.65mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
1.05mm
Typical Gate Charge @ Vgs
1.6 nC @ 4.5 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Inaltime
0.35mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Tara de origine
China
Detalii produs
N-Channel MOSFET, 12V to 28V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse