Vishay TrenchFET N-Channel MOSFET, 100 A, 30 V, 8-Pin PowerPAK SO-8 SIRA00DP-T1-GE3
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
100 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Serie
TrenchFET
Tip pachet
PowerPAK SO-8
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
8
Maximum Drain Source Resistance
1.35 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1.1V
Maximum Power Dissipation
104 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-16 V, +20 V
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
6.25mm
Typical Gate Charge @ Vgs
147 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Latime
5.26mm
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Inaltime
1.12mm
Detalii produs
N-Channel MOSFET, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 123,50
€ 2,47 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)
€ 149,44
€ 2,989 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)
Impachetare pentru productie (Rola)
50
€ 123,50
€ 2,47 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)
€ 149,44
€ 2,989 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Impachetare pentru productie (Rola)
50
Informatii despre stoc temporar indisponibile
| Cantitate | Pret unitar | Per Rola |
|---|---|---|
| 50 - 120 | € 2,47 | € 12,35 |
| 125 - 245 | € 2,21 | € 11,05 |
| 250 - 495 | € 2,06 | € 10,30 |
| 500+ | € 1,91 | € 9,55 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
100 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Serie
TrenchFET
Tip pachet
PowerPAK SO-8
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
8
Maximum Drain Source Resistance
1.35 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1.1V
Maximum Power Dissipation
104 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-16 V, +20 V
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
6.25mm
Typical Gate Charge @ Vgs
147 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Latime
5.26mm
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Inaltime
1.12mm
Detalii produs
N-Channel MOSFET, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse