Vishay E N-Channel MOSFET, 15 A, 800 V, 3-Pin D2PAK SIHB17N80AE-GE3

Name: Vishay E N-Channel MOSFET, 15 A, 800 V, 3-Pin D2PAK SIHB17N80AE-GE3
Brand: Vishay
SKU: 2104971
Availability: LimitedAvailability

Nr. stoc RS: 210-4971Producator: VishayCod de producator: SIHB17N80AE-GE3

Vezi toate produsele din Tranzistoare MOSFET

Documente tehnice

Specificatii

Marca

Vishay

Channel Type

Maximum Continuous Drain Current

15 A

Maximum Drain Source Voltage

800 V

Serie

Tip pachet

D2PAK (TO-263)

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

Maximum Drain Source Resistance

0.25 Ω

Maximum Gate Threshold Voltage

2 → 4V

Number of Elements per Chip

Informatii despre stoc temporar indisponibile

€ 92,50

€ 1,85 Each (In a Tube of 50) (fara TVA)

€ 110,08

€ 2,202 Each (In a Tube of 50) (cu TVA)

Vishay E N-Channel MOSFET, 15 A, 800 V, 3-Pin D2PAK SIHB17N80AE-GE3

€ 92,50

€ 1,85 Each (In a Tube of 50) (fara TVA)

€ 110,08

€ 2,202 Each (In a Tube of 50) (cu TVA)

Vishay E N-Channel MOSFET, 15 A, 800 V, 3-Pin D2PAK SIHB17N80AE-GE3

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Incercati din nou mai tarziu

Cantitate	Pret unitar	Per Tub
50 - 50	€ 1,85	€ 92,50
100 - 200	€ 1,60	€ 80,00
250+	€ 1,35	€ 67,50

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse

Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice

Specificatii

Marca

Vishay

Channel Type

Maximum Continuous Drain Current

15 A

Maximum Drain Source Voltage

800 V

Serie

Tip pachet

D2PAK (TO-263)

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

Maximum Drain Source Resistance

0.25 Ω

Maximum Gate Threshold Voltage

2 → 4V

Number of Elements per Chip