Vishay ThunderFET N-Channel MOSFET, 11.3 A, 100 V, 6-Pin PowerPAK SC-70 SIA416DJ-T1-GE3

Nr. stoc RS: 818-1441Producator: VishayCod de producator: SIA416DJ-T1-GE3
brand-logo

Documente tehnice

Specificatii

Marca

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

11.3 A

Maximum Drain Source Voltage

100 V

Serie

ThunderFET

Tip pachet

PowerPAK SC-70

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

6

Maximum Drain Source Resistance

130 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

1.6V

Maximum Power Dissipation

19 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Number of Elements per Chip

1

Lungime

2.15mm

Typical Gate Charge @ Vgs

6.5 nC @ 10 V

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Latime

2.15mm

Transistor Material

Si

Inaltime

0.75mm

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Tara de origine

China

Detalii produs

N-Channel MOSFET, Medium Voltage/ThunderFET®, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
Informatii despre stoc temporar indisponibile

€ 5,60

€ 0,28 Buc. (Intr-un pachet de 20) (fara TVA)

€ 6,66

€ 0,333 Buc. (Intr-un pachet de 20) (cu TVA)

Vishay ThunderFET N-Channel MOSFET, 11.3 A, 100 V, 6-Pin PowerPAK SC-70 SIA416DJ-T1-GE3
Selectati tipul de ambalaj

€ 5,60

€ 0,28 Buc. (Intr-un pachet de 20) (fara TVA)

€ 6,66

€ 0,333 Buc. (Intr-un pachet de 20) (cu TVA)

Vishay ThunderFET N-Channel MOSFET, 11.3 A, 100 V, 6-Pin PowerPAK SC-70 SIA416DJ-T1-GE3
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Selectati tipul de ambalaj

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Incercati din nou mai tarziu

CantitatePret unitarPer Pachet
20 - 180€ 0,28€ 5,60
200 - 480€ 0,23€ 4,60
500 - 980€ 0,21€ 4,20
1000 - 1980€ 0,21€ 4,20
2000+€ 0,20€ 4,00

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice

Specificatii

Marca

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

11.3 A

Maximum Drain Source Voltage

100 V

Serie

ThunderFET

Tip pachet

PowerPAK SC-70

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

6

Maximum Drain Source Resistance

130 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

1.6V

Maximum Power Dissipation

19 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Number of Elements per Chip

1

Lungime

2.15mm

Typical Gate Charge @ Vgs

6.5 nC @ 10 V

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Latime

2.15mm

Transistor Material

Si

Inaltime

0.75mm

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Tara de origine

China

Detalii produs

N-Channel MOSFET, Medium Voltage/ThunderFET®, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe