Dual N/P-Channel MOSFET Transistor, 3.8 A, 6.6 A, 20 V, 8-Pin SOIC Vishay SI4500BDY-T1-E3

Nr. stoc RS: 710-3342Producator: VishayCod de producator: SI4500BDY-T1-E3
brand-logo

Documente tehnice

Specificatii

Marca

Vishay

Channel Type

N, P

Maximum Continuous Drain Current

3.8 A, 6.6 A

Maximum Drain Source Voltage

20 V

Tip pachet

SOIC

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

8

Maximum Drain Source Resistance

20 mΩ, 60 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

0.6V

Maximum Power Dissipation

1.3 W

Maximum Gate Source Voltage

-12 V, +12 V

Typical Gate Charge @ Vgs

11 nC @ 4.5 V, 6 nC @ 4.5 V

Number of Elements per Chip

2

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Lungime

5mm

Latime

4mm

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Inaltime

1.55mm

Tara de origine

China

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
S-ar putea să te intereseze
Vishay Dual N/P-Channel MOSFET, 4.3 A, 6 A, 30 V, 8-Pin SOIC SI4532CDY-T1-GE3
€ 0,714Buc. (Intr-un pachet de 20) (fara TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile

P.O.A.

Buc. (Intr-un pachet de 5) (fara TVA)

Dual N/P-Channel MOSFET Transistor, 3.8 A, 6.6 A, 20 V, 8-Pin SOIC Vishay SI4500BDY-T1-E3
Selectati tipul de ambalaj

P.O.A.

Buc. (Intr-un pachet de 5) (fara TVA)

Dual N/P-Channel MOSFET Transistor, 3.8 A, 6.6 A, 20 V, 8-Pin SOIC Vishay SI4500BDY-T1-E3
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Selectati tipul de ambalaj

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Incercati din nou mai tarziu

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
S-ar putea să te intereseze
Vishay Dual N/P-Channel MOSFET, 4.3 A, 6 A, 30 V, 8-Pin SOIC SI4532CDY-T1-GE3
€ 0,714Buc. (Intr-un pachet de 20) (fara TVA)

Documente tehnice

Specificatii

Marca

Vishay

Channel Type

N, P

Maximum Continuous Drain Current

3.8 A, 6.6 A

Maximum Drain Source Voltage

20 V

Tip pachet

SOIC

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

8

Maximum Drain Source Resistance

20 mΩ, 60 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

0.6V

Maximum Power Dissipation

1.3 W

Maximum Gate Source Voltage

-12 V, +12 V

Typical Gate Charge @ Vgs

11 nC @ 4.5 V, 6 nC @ 4.5 V

Number of Elements per Chip

2

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Lungime

5mm

Latime

4mm

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Inaltime

1.55mm

Tara de origine

China

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
S-ar putea să te intereseze
Vishay Dual N/P-Channel MOSFET, 4.3 A, 6 A, 30 V, 8-Pin SOIC SI4532CDY-T1-GE3
€ 0,714Buc. (Intr-un pachet de 20) (fara TVA)