Vishay N-Channel MOSFET, 16 A, 600 V, 3-Pin TO-247AC IRFPC60LCPBF
Documente tehnice
Specificatii
Marca
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
16 A
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Tip pachet
TO-247AC
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
400 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
280 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Typical Gate Charge @ Vgs
120 nC @ 10 V
Latime
5.31mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
15.87mm
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Inaltime
20.7mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Detalii produs
N-Channel MOSFET, 600V to 1000V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 4,43
€ 4,43 Buc. (fara TVA)
€ 5,27
€ 5,27 Buc. (cu TVA)
Standard
1
€ 4,43
€ 4,43 Buc. (fara TVA)
€ 5,27
€ 5,27 Buc. (cu TVA)
Standard
1
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Incercati din nou mai tarziu
| Cantitate | Pret unitar |
|---|---|
| 1 - 9 | € 4,43 |
| 10 - 49 | € 4,22 |
| 50 - 99 | € 3,93 |
| 100 - 249 | € 3,44 |
| 250+ | € 3,20 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
16 A
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Tip pachet
TO-247AC
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
400 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
280 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Typical Gate Charge @ Vgs
120 nC @ 10 V
Latime
5.31mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
15.87mm
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Inaltime
20.7mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Detalii produs
N-Channel MOSFET, 600V to 1000V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse